一种颗粒物清除效率的快速评价方法
基本信息
| 申请号 | CN201910720583.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110426399A | 公开（公告）日 | 2019-11-08 |
| 申请公布号 | CN110426399A | 申请公布日 | 2019-11-08 |
| 分类号 | G01N21/94（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 胡怀志; 刘子龙; 冉运; 马超; 魏志远; 朱顺全 | 申请（专利权）人 | 武汉鼎泽新材料技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430057 湖北省武汉市武汉经济技术开发区东荆路1号办公楼6楼608室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种颗粒物清除效率的快速评价方法，对半导体制造中化学机械抛光处理后的晶圆表面颗粒物的清除效率进行评价，包括：切割处理晶片得到晶片样品，进行沾染实验，获得待清洗的晶样；进行形貌分析，获得清洗前三维形貌图像；用清洗液进行清洗实验，得到清洗后的晶样；获得清洗后三维形貌图像；将得到的清洗前/后三维形貌图像分别在垂直方向上截取高度H处的横截面，对应得到晶片表面清洗前/后颗粒污染物状况的图像，对图像进行分析处理，得到清洗前/后颗粒污染物数量或面积，计算清洗效率，其中高度H大于晶片样品表面的平均粗糙度且小于颗粒污染物平均粒径的一半。本发明的评价方法能实现快速、低成本的清除效率的评价。 |
