评价晶片清洗效率的方法及实验装置
基本信息
| 申请号 | CN201910720622.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110398500A | 公开（公告）日 | 2019-11-01 |
| 申请公布号 | CN110398500A | 申请公布日 | 2019-11-01 |
| 分类号 | G01N21/94（2006.01）I; G01Q60/24（2010.01）I; H01L21/67（2006.01）I; H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 刘子龙; 胡怀志; 冉运; 朱顺全 | 申请（专利权）人 | 武汉鼎泽新材料技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉开元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 涂洁 |
| 地址 | 430057 湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号办公楼6楼608室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于评价晶片清洗效率的方法及实验装置，解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。方法为将粘染物溶液滴入旋转中的晶片样品表面进行沾染实验，获得表面带有缺陷的沾染晶片样品；使用形貌表征仪器对沾染晶片样品表面进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗前缺陷数；将清洗液滴入旋转中的沾染晶片样品表面进行清洗实验，得到清洗晶片样品；使用形貌表征仪器对清洗晶片样品再次进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗后缺陷数；通过以下公式(A)进行清洗效率的计算，使用专用的实验装置进行沾染实验和清洗实验，具有测量方法简单可靠、准确性高、能为清洗液配方研究提供有力指导。 |
