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一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺

基本信息

申请号 CN202111401298.3 申请日 -
公开（公告）号 CN114161245A 公开（公告）日 2022-03-11
申请公布号 CN114161245A 申请公布日 2022-03-11
分类号 B24B7/22（2006.01）I;B24B41/06（2012.01）I;B24B41/00（2006.01）I;B24B55/03（2006.01）I;B24B55/06（2006.01）I;B24B51/00（2006.01）I;B24D7/14（2006.01）I;H01L21/304（2006.01）I 分类 磨削；抛光;
发明人 冯帆;代冰;胡碧波;黄德智;周霖;王洪武 申请（专利权）人 万华化学集团电子材料有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 264006山东省烟台市经济技术开发区北京中路50号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺，所述硅片减薄装置的研削部设有导液围堰，研削台内设有上、下两腔体，依次完成废液的收集与排放、废液的分离与冷却液的回收，废屑可集中处理、冷却液经纯化供后续减薄作业循环使用，多次加工后可将研削盘抬升、对研削台进行整体清洗，减少减薄装置的非加工作业时间；砂轮部采用伸缩式粗精磨砂轮组，可以精准、快速地切换和控制精磨砂轮的伸缩动作，进一步改善硅片表面粗糙度，使其接近或达到专用精磨设备所加工的硅片表面水平，节约设备与生产成本。