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三片式内置电容式同步整流二极管

基本信息

申请号 CN201721881128.9 申请日 -
公开（公告）号 CN207637789U 公开（公告）日 2018-07-20
申请公布号 CN207637789U 申请公布日 2018-07-20
分类号 H01L23/495;H01L23/488;H02M7/00 分类 基本电气元件;
发明人 李明芬;吴南;吕敏;李联勋;马东平;王鹏 申请（专利权）人 山东迪一电子科技有限公司
代理机构 青岛发思特专利商标代理有限公司 代理人 周仕芳;卢登涛
地址 272100 山东省济宁市兖州市经济开发区创业路北
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了三片式内置电容式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有一个外置引脚，第二框架一侧设有第三框架，控制IC芯片固定在第二框架上，内置电容的外接线段连接第二框架上，内接线端连接第三框架；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片与控制IC芯片之间、控制IC芯片与第三框架之间、MOSFET芯片与第二框架之间、控制IC芯片与第一框架之间通过键合线连接。三片式内置电容式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。