间隔物刻蚀工艺
基本信息
| 申请号 | CN202080005249.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112771650B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN112771650B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）;H01J37/32（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋采文;C·闫;杨晓晅 | 申请（专利权）人 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京易光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 崔晓光 |
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供了用于处理工件的系统和方法。在一个实施例中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑体上。工件具有至少一个材料层和其上的至少一种结构。该方法包括允许工艺气体进入等离子体腔室中，由工艺气体产生一种或多种物质，并且过滤所述一种或多种物质以产生过滤后的混合物。该方法还包括向偏压电极提供射频功率以产生第二混合物，并且将工件暴露于第二混合物以刻蚀材料层的至少一部分并且在材料层的至少一部分上形成膜。 |
