等离子体氮化掺杂方法和装置及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202210535375.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724945A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724945A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/3115（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜伟鹏;刘韬;王文岩;辛孟阳;余飞 | 申请（专利权）人 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京易光知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海二路28号8幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种等离子体氮化掺杂方法、等离子体氮化掺杂装置和半导体器件。所述等离子体氮化掺杂方法包括向处理腔室提供等离子体前体气体；向所述处理腔室施加频率在1‑100MHz内的混合异频源射频，以产生等离子体；对待处理工件表面的膜层进行氮化掺杂。根据本发明的等离子体掺杂方法通过采用混合异频源射频能够对氮化掺杂浓度和氮化掺杂深度进行灵活控制。 |
