一种发光二极管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011214757.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114447013A | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN114447013A | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01L27/15（2006.01）I;H01L33/20（2010.01）I;H01L21/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林智远 | 申请（专利权）人 | 深圳市TCL高新技术开发有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐凯凯 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽留仙洞中山园路1001号TCL科学园区研发楼D4栋8层B1单位802-1号房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管的制备方法，其包括步骤：提供衬底复合层，所述衬底复合层包括从下至上依次层叠设置的第一衬底层、中间层以及第二衬底层；在所述第二衬底层的上表面生长外延层并处理得到所述发光二极管。本发明可实现提升发光二极管的制备良率。 |
