一种红斑响应探测器
基本信息
| 申请号 | CN201610171213.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105679779B | 公开（公告）日 | 2019-06-21 |
| 申请公布号 | CN105679779B | 申请公布日 | 2019-06-21 |
| 分类号 | H01L27/144（2006.01）I; H01L31/0216（2014.01）I; H01L31/0304（2006.01）I; H01L31/105（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王俊; 郭进; 吴浩然; 宋曼; 易媛媛; 谢峰; 王国胜 | 申请（专利权）人 | 合肥公共安全技术研究院 |
| 代理机构 | 合肥市浩智运专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所; 合肥公共安全技术研究院 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种红斑响应探测器，一种用于太阳紫外线指数监测的芯片，属于半导体器件技术领域。该芯片横向集成了两个不同结构的探测单元，其一为传统PIN紫外光电二极管，其二为新结构的窄带通PIN紫外光电二极管，两光电二极管具有相同的感光面积。本发明探测器材料的结构为依次外延衬底层、缓冲层、N型层、I型吸收层、P型层、势垒层，短波滤波层，并利用标准半导体微加工工艺实现两不同结构探测器的单片集成。本发明的优点在于巧妙地采用双二极管集成芯片获得精确的红斑响应探测器，可以避免采用昂贵复杂的滤波装置以及滤波装置对器件响应率的影响，同时避免采用高铝组分作为吸收层所面临的材料生长困难和高暗电流问题。 |
