一种新型结构平面磁控溅射靶

基本信息

申请号 CN200920205480.X 申请日 -
公开(公告)号 CN201506830U 公开(公告)日 2010-06-16
申请公布号 CN201506830U 申请公布日 2010-06-16
分类号 C23C14/35(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 王宇;张强 申请(专利权)人 深圳市振恒昌实业有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518000 广东省深圳市龙岗区同乐村丁甲岭工业区9号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种新型结构平面磁控溅射靶,主要包括靶体装置和座体装置,靶体装置包括靶体、安装在靶体上的铁板、铝板、置于铝板和靶体围成轨道上的磁铁、再顺次安装的铜压板、靶材,座体装置包括密封座、套装在密封座外圈的密封绝缘套;其特征是:所述靶材紧贴安装在铜板上,并用压条压好,用螺钉固定,所述磁铁分为分为中间部分和外端部分。本实用新型在结构上采取优化设计,靶材紧贴铜压板安装,水冷效果显著,更换靶材时只需将压条上的螺钉拆卸即可,克服了直接水冷靶更换靶材时漏水的缺点,并且此种结构只有在更换磁铁时才会拆卸密封位置,大幅度的减少了密封位置的拆卸次数,降低了因拆卸而划伤密封面的概率,提高了靶的使用寿命。