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一种晶圆制备方法

基本信息

申请号	CN202111044087.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113948373A	公开（公告）日	2022-01-18
申请公布号	CN113948373A	申请公布日	2022-01-18
分类号	H01L21/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	严立巍;符德荣;李景贤	申请（专利权）人	浙江同芯祺科技有限公司
代理机构	工业和信息化部电子专利中心	代理人	华枫
地址	312000浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢4楼415室
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种晶圆制备方法。方法包括：S100，在硅基板的键合面光刻形成多个具有预设角度和预设深度的容纳槽；S200，在具有容纳槽的键合面上形成第一SiO2层；S300，在各个容纳槽内嵌入SiC片，并使SiC片与第一SiO2层键合；S400，在键合有SiC片的键合面填充第二SiO2层；S500，对填充的第二SiO2层进行抛光，至露出SiC片且使表面平整。根据本发明的晶圆制备方法，使得小尺寸的SiC片可以与硅基片通过永久性键合在结构上合为一体，从而使得加工大尺寸（如12英寸）的硅晶圆的设备可以加工与硅基片嵌合的小尺寸（如2英寸至6英寸）的SiC片，提高现有设备的通用性，从而可以有效降低SiC器件生产的成本。