一种晶圆表面器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111161451.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113948376A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN113948376A | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H01L21/265（2006.01）I;H01L21/304（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L21/288（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人 | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人 | 华枫 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢4楼415室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种晶圆表面器件的制备方法，包括：S100，在晶圆的第一表面制作完成接触孔后，制备耐熔金属层；S200，翻转晶圆，对晶圆的第二表面进行研磨、蚀刻，使晶圆达到预设厚度；S300，向晶圆的第二表面进行离子注入，并在预设温度下激活注入的离子；S400，对第二表面进行金属镀膜，形成金属膜层，并在金属膜层上制备具有预设图案的聚亚酰胺网格，聚亚酰胺网格的覆盖区域对应切割道位置；S500，翻转晶圆，在聚亚酰胺网格的支撑下，对第一表面进行金属镀膜，并蚀刻形成预设排布的金属块；S600，在第一表面和第二表面均无电极化镀Ni、Pd、Au；S700，去除第二表面的聚亚酰胺网格，完成晶圆表面器件的制备。 |
