一种利用二次键合硅基载板的SiC晶圆加工工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种利用二次键合硅基载板的SiC晶圆加工工艺

基本信息

申请号	CN202111162144.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113903658A	公开（公告）日	2022-01-07
申请公布号	CN113903658A	申请公布日	2022-01-07
分类号	H01L21/04（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	严立巍;符德荣;陈政勋;文锺	申请（专利权）人	浙江同芯祺科技有限公司
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李晓峰
地址	312000浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号1幢4楼415室
法律状态	-

摘要

本发明属于半导体加工领域，公开了一种利用二次键合硅基载板的SiC晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、SiC基板背面CVD SiO2层；S2、在SiO2层表面键合硅基载板；S3、于SiC基板正面完成除高温制程外的其他晶圆正面制程；S4、将SiC基板放置在石墨托盘中，通过蚀刻除去SiO2层；S5、取出硅基载板；S6、将石墨托盘及SiC基板放入高温炉管中完成高温制程；S7、再次通过CVD于SiC基板正面沉积SiO2层；S8、在SiO2层表面再次键合硅基载板；S9、翻转硅基载板，进行后续晶圆制程。本发明利用硅载板沉积SiO2层与碳化硅基板形成永久键合，同时采用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，可以安全有效的进行碳化硅基板的高温回火。