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一种半导体器件的制备方法

基本信息

申请号	CN202210333140.5	申请日	-
公开（公告）号	CN114758978A	公开（公告）日	2022-07-15
申请公布号	CN114758978A	申请公布日	2022-07-15
分类号	H01L21/683（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	严立巍;文锺;符德荣	申请（专利权）人	浙江同芯祺科技有限公司
代理机构	工业和信息化部电子专利中心	代理人	-
地址	312000浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢4楼415室
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：A100，在SiC衬底的表面制备外延层后置于预设尺寸Si基载盘；A200，在外延层进行离子注入；A300，在完成离子注入后的外延层的表面制备包覆层；A400，将SiC衬底从Si基载盘分离后，进行高温离子激活工艺；A500，去除包覆层，在外延层的表面沉积制备栅极和介电层、打开接触孔及完成沟槽氧化后，将SiC衬底放置回Si载盘。本发明通过将SiC衬底置于预设尺寸的Si基载盘，可以充分利用现有半导体器件尺寸的加工设备，降低设备更替成本。而且，在半导体器件制备过程中，在涉及到高温操作步骤时，将SiC衬底与Si基载盘分离，避免高温损坏Si基载盘和封止层。本发明的制备方法，操作方便、流程合理。