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一种晶圆切割方法

基本信息

申请号	CN202111125517.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113948460A	公开（公告）日	2022-01-18
申请公布号	CN113948460A	申请公布日	2022-01-18
分类号	H01L21/78（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	严立巍;符德荣;李景贤	申请（专利权）人	浙江同芯祺科技有限公司
代理机构	工业和信息化部电子专利中心	代理人	华枫
地址	312000浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢4楼415室
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种晶圆切割方法，包括：S100，在晶圆的第一表面完成金属元件制备后，制备聚亚酰胺网格，聚亚酰胺网格的镂空区域对应为切割道位置；S200，对准切割道在晶圆的第一表面制备第一沟槽；S300，在晶圆的第一表面贴附研磨胶带，对晶圆的第二表面进行减薄处理，并完成第二表面的元件制备工艺；S400，以第一沟槽为参考，在晶圆的第二表面对应位置制备第二沟槽；S500，在晶圆的第二表面制备金属镀层；S600，以第二沟槽为参考，沿第二沟槽制备第三沟槽，且使第三沟槽与第一沟槽连通，以切断晶圆。通过在晶圆的第一表面制备第一沟槽，可以从第二表面识别第一沟槽以进行第二沟槽切割，金属镀层可以部分沉积于第二沟槽中，提高了晶圆切割的便利性。