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一种碳化硅晶圆加工工艺

基本信息

申请号	CN202111162163.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113903656A	公开（公告）日	2022-01-07
申请公布号	CN113903656A	申请公布日	2022-01-07
分类号	H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	严立巍;符德荣;陈政勋;文锺	申请（专利权）人	浙江同芯祺科技有限公司
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李晓峰
地址	312000浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号1幢4楼415室
法律状态	-

摘要

本发明公开一种碳化硅晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、将碳化硅基板永久键合在硅载板上；S2、完成碳化硅基板的减薄及除高温制程外的其他晶圆正面制程；S3、将碳化硅基板转移到石墨托盘上，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板；S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；S5、碳化硅基板背面键合玻璃载板，移除石墨托盘；S6、碳化硅基板正面键合玻璃载板，解键合移除背面玻璃载板；S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，解键合移除正面玻璃载板，完成晶圆的切割。本发明利用硅载板承载碳化硅基板进行减薄，利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅材料硬度大、活化温度高的加工难题。