硅基板上解键合SiC片方法
基本信息
| 申请号 | CN202111119932.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113948459A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN113948459A | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H01L21/78（2006.01）I;H01L21/673（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人 | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人 | 华枫 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢4楼415室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种硅基板上解键合SiC片方法。包括：S100：将键合有多片SiC片的硅基板翻转，使SiC片朝向石墨托盘并嵌入石墨托盘；S200：向硅基板喷洒蚀刻液，使多片SiC片与硅基板解键合；S300：移除解键合后的硅基板，并使多片SiC留置于石墨托盘。根据本发明提出的的硅基板上解键合SiC片方法，通过将SiC片对准并嵌入石墨盘，利用石墨盘耐高温的性质，便于后续对SiC片进行高温退火等工艺，另外，通过蚀刻液以化学蚀刻的方式进行解键合，避免了对SiC片的表面损伤，有助于提高SiC器件的良品率。 |
