首页/ 扬州虹途电子材料有限公司/ 专利详情

一种低残碱高镍无钴正极材料及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111501617.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114171737A 公开（公告）日 2022-03-11
申请公布号 CN114171737A 申请公布日 2022-03-11
分类号 H01M4/505（2010.01）I;H01M4/525（2010.01）I;H01M4/58（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李崇;乔水伶;吕明;梁超;王慧萍;方向乾;曹壮;张彩红;李伟 申请（专利权）人 扬州虹途电子材料有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 225800江苏省扬州市宝应经济开发区康源路198号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低残碱高镍无钴正极材料，其化学表达式为LixNiaMnbO2，其中0.75