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一种纳米级无钴单晶正极材料前驱体及其无钴单晶正极材料的制备方法

基本信息

申请号 CN202111501959.X 申请日 -
公开（公告）号 CN114162882A 公开（公告）日 2022-03-11
申请公布号 CN114162882A 申请公布日 2022-03-11
分类号 C01G53/00（2006.01）I;H01M4/505（2010.01）I;H01M4/525（2010.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分类 无机化学;
发明人 乔水伶;李崇;吕明;梁超;王慧萍;方向乾;曹壮;张彩红;李伟 申请（专利权）人 扬州虹途电子材料有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 225800江苏省扬州市宝应经济开发区康源路198号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种纳米级无钴单晶正极材料前驱体及其无钴单晶正极材料的制备方法，直接采用镍、锰金属单质纳米粉末和助熔剂为原料，固相烧结得到纳米级无钴单晶正极材料前驱体，该前驱体的化学表达式为NiaMnbO2，其中0.70≤a≤0.95，0.05≤b≤0.30，a+b＝1，助熔剂为氧化锶，占前躯体总质量的质量分数为0.1wt％～2wt％；再将上述前驱体与氧化锂混合烧结，得到无钴单晶正极材料。本发明避免了金属氢氧化物或金属碳酸盐作为原料时产生水汽或二氧化碳的现象，更加绿色环保；此方法制备的小粒径前驱体具有晶体结构完整性好、循环性较好、工艺操作简单、可以连续化生产。