边耦合半导体激光器的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310198495.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103311804B | 公开（公告）日 | 2016-09-28 |
| 申请公布号 | CN103311804B | 申请公布日 | 2016-09-28 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李静思;李思敏 | 申请（专利权）人 | 南京威宁锐克信息技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈建和 |
| 地址 | 211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区胜太路68号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 边耦合半导体激光器的制造方法，在n型磷化铟衬底材料上外延生长n型缓冲层；1）在外延n型缓冲层表面生长一层二氧化硅；2）用全息曝光将光栅制作到半导体表面沉积的二氧化硅中；3）生长二氧化硅绝缘层并在脊条顶部开出窗口并制作电极；其量子阱材是InP/InGaAsP材料或InP/AlGaInA材料体系。激光器激射波长在1250?1700纳米之间。本发明使用普通全息曝光技术，制作出具有均匀一级光栅的边耦合半导体激光器。成本低且质量高。 |
