集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410173909.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103956652A | 公开（公告）日 | 2014-07-30 |
| 申请公布号 | CN103956652A | 申请公布日 | 2014-07-30 |
| 分类号 | H01S5/06(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 唐松;李连艳;陈向飞 | 申请（专利权）人 | 南京威宁锐克信息技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈建和 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园汇智路300号B座2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构-等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫-曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt-joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。 |
