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单片集成边耦合半导体激光器及多波长激光器阵列的制备方法

基本信息

申请号 CN201310513456.3 申请日 -
公开（公告）号 CN103606816B 公开（公告）日 2016-08-17
申请公布号 CN103606816B 申请公布日 2016-08-17
分类号 H01S5/125(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李静思;唐松;李思敏 申请（专利权）人 南京威宁锐克信息技术有限公司
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） 代理人 陈建和
地址 211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区胜太路68号
法律状态 -

摘要

摘要 一种形成边耦合分布反馈（DFB）和重构等效啁啾（REC）等效相移的边耦合半导体激光器及激光器阵列制备方法，边耦合半导体激光器及激光器阵列从下到上结构为：在n型磷化铟衬底材料上外延n型缓冲层、晶格匹配下波导层、多量子阱、光栅材料层、上波导层、欧姆接触层。在外延片表面生长一层二氧化硅和薄金属铬层，用模板光刻技术，将设计好的采样光栅图案转移到薄金属铬层上；将采样光栅图案从光刻胶转移到二氧化硅层并去除残余光刻胶；之后用光刻方式在光刻胶上曝光定义出脊条波导，随后用湿法刻蚀先后去掉未被光刻胶遮盖的铬和二氧化硅，并暴露出脊条波导两侧壁和侧部平面将被大范围刻蚀的半导体表面；形成由三层材料构成的掩膜版。