一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN201910773840.4	申请日	-
公开（公告）号	CN110400744A	公开（公告）日	2019-11-01
申请公布号	CN110400744A	申请公布日	2019-11-01
分类号	H01L21/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	廖宸梓; 王柏钧; 陈宪冠; 叶顺闵	申请（专利权）人	聚力成半导体（重庆）有限公司
代理机构	北京专赢专利代理有限公司	代理人	聚力成半导体（重庆）有限公司
地址	400000 重庆市江北区江北嘴IFS国金中心T2栋2911
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构。