一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN201910774581.7	申请日	-
公开（公告）号	CN110400835A	公开（公告）日	2019-11-01
申请公布号	CN110400835A	申请公布日	2019-11-01
分类号	H01L29/06（2006.01）I; H01L29/778（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I; B82Y40/00（2011.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	廖宸梓; 王柏钧; 陈宪冠; 叶顺闵	申请（专利权）人	聚力成半导体（重庆）有限公司
代理机构	北京专赢专利代理有限公司	代理人	聚力成半导体（重庆）有限公司
地址	400000 重庆市江北区江北嘴IFS国金中心T2栋2911
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构及其制备方法，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaN barrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaN barrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaN barrier层之间设置有AlN spacer层，AlGaN barrier层的上部设置有P‑AlInGaN层。本产品通过利用衬底在AlGaN与GaN间插入AlN spacer层,因其具有较大的禁带宽度,从而得到更佳量子井效果,有效提高电子迁移率，可以提供更有效的缓冲，达成高质量GaN通道层的需求。