一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构
基本信息
| 申请号 | CN201921362601.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210224041U | 公开（公告）日 | 2020-03-31 |
| 申请公布号 | CN210224041U | 申请公布日 | 2020-03-31 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 | 申请（专利权）人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 北京专赢专利代理有限公司 | 代理人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 地址 | 400000重庆市江北区江北嘴IFS国金中心T2栋2911 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaN barrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaN barrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaN barrier层之间设置有AlN spacer层，AlGaN barrier层的上部设置有P‑AlInGaN层。 |
