半导体装置
基本信息
| 申请号 | CN201910832477.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110707153A | 公开（公告）日 | 2020-01-17 |
| 申请公布号 | CN110707153A | 申请公布日 | 2020-01-17 |
| 分类号 | H01L29/778;H01L29/08 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 石逸群;叶顺闵 | 申请（专利权）人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 合肥市科融知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 地址 | 402360 重庆市大足区高新技术产业开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括一基底、一第一III‑V族化合物层、一栅极、多个以高积集度排列设置的漏极沟槽以及至少一漏极。基底具有一第一侧以及与第一侧相反的一第二侧。第一III‑V族化合物层设置在基底的第一侧。栅极设置在第一III‑V族化合物层上。各漏极沟槽自基底的第二侧朝向第一侧延伸而贯穿基底，且多个漏极沟槽规则排列设置。漏极设置在多个漏极沟槽中的至少一个中。 |
