半导体装置的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910832446.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111063656A | 公开（公告）日 | 2020-04-24 |
| 申请公布号 | CN111063656A | 申请公布日 | 2020-04-24 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/528;H01L29/778 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 石逸群;叶顺闵 | 申请（专利权）人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 合肥市科融知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 地址 | 402360 重庆市大足区高新技术产业开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤。提供一基底，基底具有一第一侧以及与第一侧相反的一第二侧。在基底的第一侧上形成一第一III‑V族化合物层。自基底的第二侧形成一漏极沟槽以及一接触沟槽。漏极沟槽自基底的第二侧朝向第一侧延伸而贯穿基底，接触沟槽自基底的第二侧朝向第一侧延伸而贯穿基底，且漏极沟槽与接触沟槽由同一制造工艺一并形成。在漏极沟槽中形成一漏极。在接触沟槽中形成一背部接触结构。 |
