半导体装置的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910833072.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111048411A | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN111048411A | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 石逸群;叶顺闵 | 申请（专利权）人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 代理机构 | 合肥市科融知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 地址 | 402360 重庆市大足县高新技术产业开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤。提供至少一个平台结构，且平台结构包括一III‑V族化合物半导体层。在平台结构上形成一钝化层。在钝化层上形成一栅极介电层。在栅极介电层上形成一栅极。在形成栅极之前，对栅极介电层进行一刻蚀工艺，用以薄化栅极介电层。利用刻蚀工艺调整栅极介电层的厚度，借此达到提高半导体装置的电性表现的效果。 |
