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增强型氮化镓晶体管的结构与使用该结构的封装芯片

基本信息

申请号 CN202010273269.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113161416A 公开（公告）日 2021-07-23
申请公布号 CN113161416A 申请公布日 2021-07-23
分类号 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 邱绍谚;林靖璋 申请（专利权）人 聚力成半导体（重庆）有限公司
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 姚亮;张德斌
地址 402360重庆市大足区高新技术产业开发区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种增强型氮化镓晶体管的结构与使用该结构的封装芯片。该增强型氮化镓晶体管的结构包含：一源极电极；一漏极电极；一栅极电极；一p‑III族氮化物层，设置于所述栅极电极之下；一III族氮化物层，接触所述p‑III族氮化物层的下表面、所述漏极电极的下表面、以及所述源极电极的下表面；一III族阻障层，设置于所述III族氮化物层的下表面；其中，所述栅极电极或所述漏极电极至少其一为一L型电极，且所述栅极电极与所述源极电极之间、或所述栅极电极与所述漏极电极之间至少其一存在一沟槽，所述沟槽的底部终止于所述III族阻障层之中；所述栅极电极或所述漏极电极的一端设置于所述沟槽之中。