一种阻变存储器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111457206.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156409A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156409A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁勇;严麒;陈丽霞;任佳莹;胡颖蔚;蔡舒群 | 申请（专利权）人 | 杭州国家集成电路设计产业化基地有限公司 |
| 代理机构 | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 | 代理人 | 高明翠 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市滨江区六和路368号一幢（北）四楼B4125室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，包括：衬底；下电极，下电极和衬底相连接；阻变层，阻变层和下电极相连接；上电极，上电极和阻变层相连接，阻变层设置在下电极和上电极之间，有益效果在于阻变存储器在高阻态与低阻态之间转变时，吸收或者释放大量氧原子，在阻变存储器从低阻态转变为高阻态时，释放出的大量氧原子可以大大促进阻变层中的导电细丝的断开，并且使得导电细丝断开地更为彻底，通过有效加强阻变层中导电细丝通道的断开，使得增大电极之间的电阻，达到增大阻变存储器的存储窗口的效果。 |
