首页/ 木昇半导体科技（苏州）有限公司/ 专利详情

一种提高紫外LED光输出功率的外延结构

基本信息

申请号 CN202121405958.0 申请日 -
公开（公告）号 CN215342640U 公开（公告）日 2021-12-28
申请公布号 CN215342640U 申请公布日 2021-12-28
分类号 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I;H01L33/54（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 南琦;刘银 申请（专利权）人 木昇半导体科技（苏州）有限公司
代理机构 北京化育知识产权代理有限公司 代理人 闫露露
地址 215000江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，包括紫外LED器件，所述紫外LED器件输出端表面插接有限位圈，所述限位圈表面插接有外延罩，所述外延罩顶部和底部表面均开设有限位槽，所述限位槽内腔底部安装有螺钉，所述外延罩内壁表面涂喷有电子阻挡层，所述紫外LED器件输出端安装有反光板，所述螺钉底端贯穿外延罩与限位圈转动相连，所述限位槽内腔顶端安装有密封盖，所述密封盖外径大小与限位槽内径大小相同，所述反光板中部开设有通孔，且通孔内径大于紫外LED器件输出光束的外径，本实用新型可降低外延结构中电子的泄露，从而能够提高紫外LED器件的输出效率和功率，进而降低了紫外LED器件损耗。