首页/ 木昇半导体科技（苏州）有限公司/ 专利详情

一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法

基本信息

申请号 CN202011389027.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112687768B 公开（公告）日 2021-11-05
申请公布号 CN112687768B 申请公布日 2021-11-05
分类号 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 南琦 申请（专利权）人 木昇半导体科技（苏州）有限公司
代理机构 北京化育知识产权代理有限公司 代理人 尹均利
地址 215011江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，包括如下步骤：在金刚石衬底上生长AlN层；在所述AlN层上生长n型AlGaN层；在所述n型AlGaN层上依次生长AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层，重复生长若干组AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层形成多量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型AlGaN层。本发明可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法可直接调整外延结构中C基金刚石偏振光栅过滤结构，达到所需的偏振光源，无需外部附加涂覆薄膜调制结构，避免了过多光功率的损失，由该方法制作的UV紫外光电芯片，直接发出的光就是所定制需求的偏振光源。