一种极紫外GaN UV-LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN202110686783.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299807A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299807A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/64;H01L33/04;H01L33/46 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 南琦;刘银 | 申请（专利权）人 | 木昇半导体科技（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京化育知识产权代理有限公司 | 代理人 | 闫露露 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种极紫外GaNUV‑LED外延结构，包括衬底层，衬底层上设有外延层，外延层设有多组，所述外延层等距离设置，且每组外延层之间设置有分隔层，所述外延层与衬底层之间设有划痕层，所述外延层包括半导体模板层、缓冲层、高温n‑GaN层、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层、高温p‑AlGaN电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层，本发明通过将缓冲层采用多组交错叠加设置的GaAs层和AlGaAs层组成，使其具有良好的吸光效果，后期可将吸收的光射出，有效的提到的发光效率和二次出光效率，通过在衬底层内设置反光层，使得外延结构具有两组发光结构，提高极紫外GaNUV‑LED出光效率。 |
