一种有序多孔钴硫修饰电极及其制备方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202011644032.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112834586A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112834586A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | G01N27/30;G01N27/48 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 奚亚男;胡淑锦 | 申请（专利权）人 | 广州钰芯智能科技研究院有限公司 |
| 代理机构 | 广州帮专高智知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 陆茵 |
| 地址 | 510000 广东省广州市南沙区进港大道8号1104房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种有序多孔钴硫修饰电极及其制备方法与应用，具体通过电镀方法制备聚苯乙烯模板，再在其表面电沉积修饰钴硫合金，得到有序多孔钴硫修饰电极，电极具有良好的电化学响应性能和较高的稳定性，可用于电化学传感器；电极具有优秀的电容性能，可用于电池及电容器。 |
