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一种基于磁性隧道结的位元结构

基本信息

申请号 CN202010521122.0 申请日 -
公开（公告）号 CN111696601A 公开（公告）日 2020-09-22
申请公布号 CN111696601A 申请公布日 2020-09-22
分类号 G11C11/16(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 毛欣;张源梁 申请（专利权）人 芯珉微电子（上海）有限公司
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人 苏州思立特尔半导体科技有限公司
地址 215000江苏省苏州市苏州高新区科灵路78号软件园3号楼306
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于磁性隧道结的位元结构，该位元结构包括两个MOS管、两个磁性隧道结、一条字线、两条源线以及两条位线；进行数据写入时，字线有效，位元结构中的两个MOS管共享源线与位线，两个磁性隧道结MTJ上经过稳定的电流并持续一段时间；选取某一个MTJ作为存储单元(另外一个作为参考单元)，将数据写入；进行数据读出时，源线接地，两个位线偏置电压将两端位线分别上拉，产生作为存储单元的MTJ上电压VMTJ1和作为参考单元的MTJ上电压VMTJ2，将VMTJ1和VMTJ2接入比较器进行比较；得到数据读出结果。本发明的一种基于磁性隧道结的位元电路及其读出电路，具有实现简单，读出速度快的优点。