多晶硅生长检测装置
基本信息
| 申请号 | CN201720631227.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206858696U | 公开（公告）日 | 2018-01-09 |
| 申请公布号 | CN206858696U | 申请公布日 | 2018-01-09 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 黄贤强;沈达军;赵芷绮;张苏州;栗学华;郭见英;何建军 | 申请（专利权）人 | 浙江溢闳光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314302 浙江省嘉兴市海盐县澉浦镇长青路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及多晶硅生长检测装置，包括闭路循环轨道，所述闭路循环轨道的正下方设置有至少一个多晶硅坩埚以及至少一个料筒，所述料筒内装有HF酸，在闭路循环轨道上设置有多个滑块，所述滑块的下端设置有升降气缸，在升降气缸上安装有高纯石英棒。通过设置闭路循环轨道，在轨道内设置滑块，在轨道下设置高纯石英棒以及用于控制高纯石英棒升降的升降气缸，升降气缸控制高纯石英棒下降插入多晶硅坩埚内以检测多晶硅生长速率，检测完毕，升降气缸控制高纯石英棒上升。当运行至料筒正上方时，升降气缸控制高纯石英棒下降插入HF酸中以剥离表面污染，之后，升降气缸控制高纯石英棒上升；如此循环往复，高效可以提高检测效率，降低人工成本。 |
