一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110483190.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113215420B | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN113215420B | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | C22B41/00（2006.01）I;C22B1/02（2006.01）I;C22B7/00（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I;C30B29/08（2006.01）I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 张承龙;徐秋雨;王瑞雪;马恩;白建峰;王景伟 | 申请（专利权）人 | 上海第二工业大学 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 201209上海市浦东新区金海路2360号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法。其包括以下步骤：（1）将废旧掺锗光纤进行破碎和球磨；（2）将球磨后光纤在温度为600‑800℃条件下焙烧；（3）将焙烧后光纤用摩尔浓度为0.025mol/L‑0.3mol/L的四硼酸钠溶液浸出后过滤；（4）将浸出后过滤液中的硅离子浓度稀释至0.5‑2mol/L，然后加入硅去除试剂反应后过滤除杂质硅元素；（5）以铂片为阳极，液态金属为阴极，采用电沉积法从除硅后的浸出液中制备多晶锗薄膜。本发明实现了从废旧光纤中锗的回收和利用，具有方法简单，成本低、对环境友好等优点。 |
