自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010277938.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113540234A	公开（公告）日	2021-10-22
申请公布号	CN113540234A	申请公布日	2021-10-22
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	常虹	申请（专利权）人	南京紫竹微电子有限公司
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁
地址	710018 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
法律状态	-

摘要

一种自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法，透过在半导体基板的表面上制备一个多层屏蔽，再形成图案制备所须的栅极沟槽；且透过非等向蚀刻，露出该底部氧化层的部分表面，形成在前述栅极沟槽中的栅极电极，且在氮化层的两侧形成侧边多晶硅层，且底部氧化层上方的表面部分外露；利用前述外露处进行本体注入，及构成源极区；然后，沉积氧化物层在所述栅极电极上方，去除前述氮化层，利用此外露部分，在底部氧化层的下方附近形成接触区，再对前述底部氧化层外露处进行接触点槽的蚀刻，在所述接触点槽内形成导电接触头，且所述导电接触头电性连接前述本体区内的源极区，最后，在半导体基板上方沉积一个金属层，完成自对准的沟槽式场效应晶体管的制备。