一种保护屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的屏蔽多晶硅侧壁的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910765715.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112397390A | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN112397390A | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏毅;常虹 | 申请（专利权）人 | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 于晓菁 |
| 地址 | 210043 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 申请提供一种保护屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的屏蔽多晶硅侧壁的形成方法，在形成多个屏蔽多晶硅的过程中，通过二次氧化层形成工艺来制成屏蔽多晶硅侧壁，以提高屏蔽多晶硅顶部区域氧化物厚度及沟槽侧壁在屏蔽多晶硅及栅极多晶硅过渡区域处的氧化物厚度以解决漏电流严重的问题。 |
