自对准的沟槽式场效应晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202020529911.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211700291U | 公开（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申请公布号 | CN211700291U | 申请公布日 | 2020-10-16 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 常虹 | 申请（专利权）人 | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 于晓菁 |
| 地址 | 710018 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种自对准的沟槽式场效应晶体管，透过在半导体基板的表面上制备一个多层屏蔽，再形成图案制备所须的栅极沟槽；且透过非等向蚀刻，露出该底部氧化层的部分表面，形成在前述栅极沟槽中的栅极电极，且在氮化层的两侧形成侧边多晶硅层，且底部氧化层上方的表面部分外露；利用前述外露处进行本体注入，及构成源极区；然后，沉积氧化物层在所述栅极电极上方，去除前述氮化层，利用此外露部分，在底部氧化层的下方附近形成接触区，再对前述底部氧化层外露处进行接触点槽的蚀刻，在所述接触点槽内形成导电接触头，且所述导电接触头电性连接前述本体区内的源极区，最后，在半导体基板上方沉积一个金属层，完成自对准的沟槽式场效应晶体管的制备。 |
