沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010277890.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517341A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517341A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 常虹 | 申请（专利权）人 | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 于晓菁 |
| 地址 | 710018 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法，在半导体基底的沟槽内底部的设有厚氧化层，沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层，及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极，且在厚氧化层上方及多晶硅栅极下方设有第一限制部，及包覆第一限制部的第二限制部。透过第一限制部及第二限制部的存在，在后续工序中将保留第二限制部下方的厚氧化层，从而能降低工艺成本；能在更小深宽比的沟槽中形成良好的TBO（Thick Bottom Oxide），从而能适用于各种深宽比的沟槽的TBO形成，从而具有较大的使用范围。 |
