屏蔽栅极沟槽半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910202460.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111697082A | 公开（公告）日 | 2020-09-22 |
| 申请公布号 | CN111697082A | 申请公布日 | 2020-09-22 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏毅 | 申请（专利权）人 | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 地址 | 710018 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明专利提供一种屏蔽栅极沟槽半导体装置及其制造方法，所述屏蔽栅极沟槽半导体装置，包括：一半导体本体；一外延层，形成于所述半导体本体上；至少一沟槽结构，形成于所述外延层上，通过所述沟槽结构，所述沟槽结构容纳至少一个栅极多晶硅层；其中所述沟槽结构包括一屏蔽多晶硅层和一多晶硅氧化层；一基体接触区，形成于所述外延层上；一基体，形成于所述基体接触区上；一源极接触区及一基体接触窗，分别形成于所述基体上；一源极，形成于所述基体上；一源极金属层，形成于所述源极接触区上；其中所述栅极多晶硅层与所述源极金属层之间具有一硼磷硅玻璃氧化层。 |
