高压半导体功率装置的边缘终接的结构
基本信息
| 申请号 | CN202010327210.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113555413A | 公开（公告）日 | 2021-10-26 |
| 申请公布号 | CN113555413A | 申请公布日 | 2021-10-26 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏毅 | 申请（专利权）人 | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 于晓菁 |
| 地址 | 210008 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，在硅衬底中形成有核心沟槽及终端沟槽，其中所述终端沟槽比所述核心沟槽的深度深；所述核心沟槽及终端沟槽包括设于沟槽内侧壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之间的第一多晶硅。通过沟槽布局设计来改善边缘终止击穿的方法，从而能降低工艺成本；且通过沟槽布局设计，无需增加任何额外的掩模层或任何额外的处理步骤，即可实现高终端击穿电压，从而更好应用于较小尺寸的集成电路芯片范围。 |
