一种沟槽功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011264302.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382566A | 公开（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申请公布号 | CN112382566A | 申请公布日 | 2021-02-19 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨笠;石亮 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘宁 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区悦复大道288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽功率器件及其制造方法，涉及功率器件半导体制造领域，包括如下步骤：A、元胞结构的制备；B、接触孔、钨栓的制备；C、蚀刻形成电路；D、淀积钝化层，蚀刻钝化层。本发明可以克服工厂的光刻机台的工艺能力，对栅极沟槽与源极沟槽的相对位置的工艺限制，进一步提高集成度。通过同时制造栅极沟槽与源极沟槽，克服了上述光刻工艺难点，且由于没有增加掩模版，成本可控。可以进一步缩小元胞密度，减少导通电阻，提高器件效率。 |
