带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110306022.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102437187B | 公开（公告）日 | 2015-07-01 |
| 申请公布号 | CN102437187B | 申请公布日 | 2015-07-01 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L27/07(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H02J7/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 雷燮光;王薇 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 万国半导体股份有限公司;万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提出了一种带有集成的MOSFET和等效增强型JFET的半导体芯片。MOSFET-JFET芯片包括类型-1导电类型的公共半导体衬底区(公共半导体衬底区)。MOSFET器件和等效增强型JFET(等效二极管增强型JFET)器件位于公共半导体衬底区上方。等效二极管增强型JFET器件具有公共半导体衬底区，作为其等效二极管增强型JFET漏极。至少两个类型-2导电类型的等效二极管增强型JFET栅极区位于等效二极管增强型JFET漏极上方，并且在水平方向上相互分离，带有等效二极管增强型JFET栅极间距。至少一个类型-1导电类型的等效二极管增强型JFET源极位于公共半导体衬底区上方，以及等效二极管增强型JFET栅极之间。顶部等效二极管增强型JFET电极位于等效二极管增强型JFET栅极区和等效二极管增强型JFET源极区上方，并与它们相接触。如果配置得合适，等效二极管增强型JFET会同时具有大幅低于PN结二极管的正向电压Vf，以及可以与PN结二极管相比拟的反向漏电流。 |
