一种多层外延减压生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202011264301.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382560A | 公开（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申请公布号 | CN112382560A | 申请公布日 | 2021-02-19 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 侯龙 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘宁 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区悦复大道288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了多层外延减压生长方法，涉及超级结型功率器件外延生长技术领域，包括如下步骤：A、减压外延生长设备的反应腔前处理；B、外延减压生长步骤；C、每重复步骤A、B 3～5次后进行一次图形刻蚀步骤；D、图形刻蚀的后处理。减压外延工艺比普通外延工艺时间减少10％以上，设备产能提升可达30％以上，本申请所指减压外延工艺对图形的保形更好，可以减少超级结型功率器件两道光刻工艺，本申请所指减压外延低温工艺使wafer的翘曲改善，更利于后续工艺。 |
