制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN201110436059.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102569297B | 公开（公告）日 | 2015-07-15 |
| 申请公布号 | CN102569297B | 申请公布日 | 2015-07-15 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 安荷·叭剌 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 万国半导体股份有限公司;万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 地址 | 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种制备准谐振变换器的结构及方法，包括在半导体衬底上形成的半导体功率器件，该半导体功率器件还包括一个在半导体衬底外围附近的通道终止区，其中通道终止区还包括一个二极管的外围端，对应与外围端水平相对的二极管另一端，设置在半导体功率器件的有源区上。在本发明的一个实施例中，半导体功率器件是一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)。 |
