一种栅极电阻可调型超结功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110271644.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035701A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035701A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡玮 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张仁杰 |
| 地址 | 400700 重庆市北碚区悦复大道288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种栅极电阻可调的超结型功率器件及其制造方法，涉及功率器件半导体制造领域，包括如下步骤：A、超结型功率器件元胞结构的制备；B、接触通孔的制备；C、金属导线层的制备；D、钝化层的制备。本发明通过设计可调节型栅极电阻结构实现该器件在应用中可基于应用需求在一定栅极电阻范围内对栅极电阻进行灵活的调整，进一步提高器件的应用范围。通过栅极电阻控制极分别对每个独立的栅极电阻进行开路控制以实现对栅极电阻的调整，避免了因不同的栅极电阻应用需求导致的栅极、接触通孔、金属导线层版图变更和重新制作掩模版，减少成本支出，提高器件的通用性。 |
