二维屏蔽栅晶体管器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210418340.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103094321B | 公开（公告）日 | 2015-06-24 |
| 申请公布号 | CN103094321B | 申请公布日 | 2015-06-24 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 雷燮光;安荷·叭剌;伍时谦 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 万国半导体股份有限公司;万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是二维屏蔽栅晶体管器件及其制备方法。屏蔽栅晶体管器件包括形成在第一层次上的半导体衬底中的一个或多个屏蔽电极，以及形成在第二层次上的半导体衬底中的一个或多个栅极电极，第二层次与第一层次不同。一个或多个栅极电极的一个或多个部分与一个或多个屏蔽电极的一个或多个部分重叠。至少一部分栅极电极的方向不平行于一个或多个屏蔽电极。屏蔽电极与半导体衬底电绝缘，一个或多个栅极电极与衬底以及屏蔽电极电绝缘。 |
