一种SGT MOSFET器件及其接触孔的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110271647.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035840A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035840A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L23/538;H01L23/60;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭飞;赵毅;石亮 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张仁杰 |
| 地址 | 400700 重庆市北碚区悦复大道288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种SGT MOSFET器件及其接触孔的制造方法，涉及功率半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、栅极沟槽、源极沟槽、屏蔽栅沟槽以及预埋ESD沟槽；B、元胞结构的制备；C、离子注入制备ESD、体区、源区；D、栅极接触孔、源极接触孔、屏蔽栅接触孔、ESD接触孔的制作。本发明通过将ESD预埋入沟槽之中，减小栅极接触孔、源极接触孔、屏蔽栅接触孔、ESD接触孔的深度差，实现一次光刻工艺完成所有接触孔的制作，减少了一道光刻工艺流程及一道生长ESD多晶硅的工艺流程，节约成本，降低了制造工艺的难度。 |
