联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201110310147.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103035631B | 公开（公告）日 | 2015-07-29 |
| 申请公布号 | CN103035631B | 申请公布日 | 2015-07-29 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚玉平;薛彦迅;赵良 | 申请（专利权）人 | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 万国半导体（开曼）股份有限公司;重庆万国半导体科技有限公司 |
| 地址 | 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛KY1-1107邮政信箱709玛丽街122号和风楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法，该器件中低端和高端芯片分别粘贴在导电的引线框架的两边，使低端芯片的底部漏极电性连接载片基座的顶面，高端芯片的顶部源极通过对应的焊球，电性连接在载片基座的底面。本发明中由于低端芯片、引线框架的载片基座、高端芯片是立体布置的，能够减小整个器件的尺寸；将三者塑封之后，所述高端芯片背面覆盖的金属层或导电金属贴片，暴露设置在该半导体器件背面的封装体以外，有效改善器件的散热性能。 |
